Tranzistor MOSFET de putere 55V 98A 150W TO247AC, IRFP064NPBF
(click pentru detalii)
Descriere:
Modelul IRFP064NPBF, dezvoltat de International Rectifier (acum parte din Infineon), este un MOSFET de putere de generatie a cincea cu rezistenta interna extrem de scazuta (< 0,008 Ω), capabil sa gestioneze curenti mari si comutari rapide — ideal pentru inversoare, surse si drivere motor.
Specificatii:
Tip N‑Channel Enhancement Mode MOSFET (HEXFET®)
Tensiune Drain‑Source V<sub>DSS</sub> 55 V
Curent continuu (ID @ 10 V) 110 A (la 25 °C), 80 A (la 100 °C)
Putere disipata (PD, Tc = 25 °C) 200 W (derating: ~1.3 W/°C)
Rezistenta ON‑State R<sub>DS(on)</sub> ≤ 0.008 Ω @ V<sub>GS</sub> = 10 V, ID = 59 A
Tensiune prag V<sub>GS(th)</sub> 2.0 – 4.0 V @ ID = 250 µA
Incarcare poarta totala Qg ~170 nC @ V<sub>GS</sub> = 10 V — cu Q<sub>gs</sub> ≈ 32 nC, Q<sub>gd</sub> ≈ 74 nC
Timp comutare (typ.) t<sub>on</sub> ≈ 14 ns, t<sub>off</sub> ≈ 43 ns, tr ≈ 100 ns, tf ≈ 70 ns
Capacitance interne C<sub>iss</sub> ≈ 4 000 pF, C<sub>oss</sub> ≈ 1 300 pF, C<sub>rss</sub> ≈ 480 pF
Avalanche rating Puls profund de avalansa (~480 mJ), dv/dt tolerat pana la ~5 V/ns
Temperaturi de operare −55 … +175 °C (junction), stocare −55 … +175 °C
Tensiune max. gate‑source ±20 V
Dispozitiv Ambalaj TO‑247AC, montaj Through‑Hole