Tranzistor de inalta tensiune 1200V 38A 200W , IXDH20M120D1

Descriere:

IXDH20N120D1, produs de IXYS (acum parte din Littelfuse), este un tranzistor IGBT NPT (Non-Punch Through) de inalta tensiune, echipat cu dioda de recuperare integrata (Free Wheeling Diode). Este conceput pentru aplicatii de putere in comutatie eficienta, cu capacitate robusta de suportare a supraincarcarilor si operare fiabila in conditii exigente. Produsul este marcat drept „Obsolete”—nu mai este fabricat, insa inca disponibil in stocuri limitate.

Specificatii:

Tip IGBT NPT cu dioda integrata (FRED) – D1

Tensiune de blocare (V_CES) 1200 V AC/DC

Curent continuu (I_C) 38 A la 25 °C / 25 A la 90 °C

Corent pulsator (I_CM) 50 A (1 ms)

Tensiune de saturare (V_CE_sat) 2.4 – 3 V @ I_C = 20 A, V_GE = 15 V

Energie de comutatie E_on ≈ 3.1 mJ, E_off ≈ 2.4 mJ (Tj = 125°C)

Turn-on/off t_fi = 70 ns, td(on) ≈ 100 ns, td(off) ≈ 500 ns

Tehnologie NPT – cu caracteristica RBSOA patrata, fara latch-up

Pachet TO-247AD (through-hole) – montaj pe radiator permis

Pierderea de putere (P_D) IGBT: 200 W, Diode: 75 W

Impedenta termica (R_thJC) IGBT: 0.63 K/W, Diode: 1.6 K/W

T°C de functionare –55 °C … +150 °C (Tj)

Dimensiuni 16.26 × 5.3 × 21.46 mm (L × W × H)

Caracteristici aditionale Coeficient de temperatura pozitiv (usor de paralelizat), toleranta la scurtcircuit, control MOS-gate