Descriere:
Tranzistor MOSFET de putere tip N canal, proiectat pentru aplicatii de comutare rapida in surse in comutatie, invertoare, alimentatoare si circuite de comanda. Asigura tensiune ridicata de blocare si pierderi reduse, fiind potrivit pentru utilizari in electronica de putere si proiecte pentru specialisti.
Specificatii:
Tip tranzistor: MOSFET N canal
Tensiune drenaj-sursa (Vds): 500 V
Curent continuu drenaj (Id): 4.5 A
Putere disipata: 74 W
Rezistenta canal deschis (Rds(on)): 1.5 Ω tipic
Tensiune poarta-sursa (Vgs): ±20 V
Incarcare poarta (Qg): 23 nC
Capsula: TO-220AB
Domeniu temperatura: -55°C … +150°C
IRF830PBF-1