Descriere:
Tranzistor bipolar PNP de joasă putere, proiectat pentru aplicații de comutare rapidă și circuite de amplificare analogică. Ideal pentru utilizări în electronică generală unde este nevoie de rezistență la tensiuni moderate și operare în frecvențe relativ înalte, oferind un echilibru bun între performanță și cost.
Specificatii:
Tip tranzistor: PNP bipolar
Tensiune colector–emitor (Vceo): –70 V
Tensiune colector–baza (Vcbo): –70 V
Tensiune emitor–baza (Vebo): –5 V
Curent colector continuu (Ic): –100 mA (0.1 A)
Putere disipata (Pc): 0.25 W (Ta=25 °C)
Frecventa de tranzitie (fT): 180 MHz
Capacitate colector (Cc): ~4.5 pF
Factor de amplificare curent (hFE), minim: ~200
Capsula: TO‑92 (prin gauri – THT)
Domeniu temperatura: –55 °C … +125 °C (junction up to +150 °C)