Tranzistor MOSFET de putere tip N-channel 60V 35A 85W , FQP50N06

Descriere:

FQP50N06 este un tranzistor MOSFET de putere, de tip N-channel, proiectat pentru aplicatii de comutare rapida si control al sarcinilor de putere. Datorita rezistentei interne mici si curentului mare suportat, este utilizat in surse de alimentare in comutatie, controlul motoarelor, circuite de protectie si aplicatii auto. Este produs de ON Semiconductor (onsemi) si disponibil in capsula TO-220.

Specificatii:

Tip tranzistor: N-channel MOSFET

Tensiune drena–sursa (Vds): 60 V

Curent maxim drena (Id): 52 A

Putere disipata (Ptot): 110 W (la Tc = 25°C)

Rds(on): 0,022 Ω (la Vgs = 10 V, Id = 25 A)

Tensiune prag poarta (Vgs(th)): 2 – 4 V

Tensiune maxima poarta (Vgs): ±20 V

Incarcare poarta (Qg): ~67 nC

Frecventa de comutare: Pana la sute de kHz (ideal pentru SMPS)

Encapsulare: TO-220