Tranzistor MOSFET canal N inalta tensiune 600V 10A 115W , STP10NK60Z

Descriere:

10NK60Z este un tranzistor MOSFET canal N de inalta tensiune, proiectat pentru aplicatii de comutare rapida in surse de alimentare in comutatie (SMPS), convertoare si echipamente electronice industriale. Este produs de STMicroelectronics, parte din familia MDmesh™ II optimizata pentru pierderi reduse si eficienta ridicata.

Specificatii:

Tip tranzistor: N-channel MOSFET

Tensiune drena–sursa (Vds): 600 V

Curent maxim drena (Id): 9–10 A (la Tc = 25°C)

Putere disipata (Ptot): ~125 W (cu radiator)

Rds(on): 0,75 Ω (tipic, la Vgs = 10 V)

Tensiune prag poarta (Vgs(th)): 2 – 4 V

Tensiune maxima poarta (Vgs): ±30 V

Incarcare poarta (Qg): ~34 nC

Encapsulare: TO-220

Temperatura de operare: -55 … +150 °C