MOSFET IRF530PBF de 100v 10a si 88W, IRF530PBF
zoom_out_map
chevron_left chevron_right
Nou

MOSFET IRF530PBF de 100v 10a si 88W, IRF530PBF

10,00 lei Cu TVA

8,40 lei Fara TVA

3 zile lucratoare
notifications_active Ultimele produse in stoc
Politica de returnare
(click pentru detalii)

Descriere:

IRF530PBF este un MOSFET puternic si eficient, produs de Vishay / Vishay Siliconix, destinat aplicatiilor de comutare de intensitati mari (DC/DC isolat, drivere motoare, surse, inversoare). Realizat in tehnologia trench, ofera rezistenta interna redusa si toleranta ridicata la suprasarcina.

Specificatii:

Tip dispozitiv N‑Channel MOSFET, enhancement mode, pachett TO‑220AB

Tensiune V<sub>DS</sub> max. 100 V (breakdown) 

Tensiune V<sub>GS</sub> max. ± 20 V 

Curent continuu (TC=25 °C) 14 A (sau 10 A la 100 °C) 

Curent pulsat (IDM) Pana la 56–68 A, cu duty‑cycle ≤ 2 % 

Rezistenta Dr‑S (R<sub>DS(on)</sub>) ≈ 0.16 Ω @ V<sub>GS</sub> = 10 V si ID = 8–20 A 

Power dissipation (PD) ~88 W la TC = 25 °C 

Temperatura operare Þ –55 °C pana la +175 °C (junctie)

IRF530PBF