Tranzzistorul IRF530NPBF este un mosfet puternic, IRF530NPBF
(click pentru detalii)
Descriere:
Tranzistorul IRF530NPBF este un MOSFET de putere N‑canal fabricat de International Rectifier (acum parte din Infineon Technologies). Este construit pe tehnologie avansata HEXFET® pentru a obtine o rezistenta de conductie extrem de mica. Este optimizat pentru comutare rapida, este complet protejat pentru avalansa si capac inalt dv/dt. Produsul este compatibil RoHS, fara plumb.Ambalat in pachet TO‑220AB, poate conduce continuu pana la ~50 W cu disipare termica redusa si cost eficient.
Specificatii:
Tensiune Drain–Sursa (V<sub>DSS</sub>) 100 V
Curent drain continuu (V<sub>GS</sub> = 10 V, TC = 25 °C) 17 A
Curent drain (TC = 100 °C) 12 A
Curent pulsat (IDM) pana la 60 A
Putere disipata (TC = 25 °C) 70 W
Rezistenta de conductie R<sub>DS(on)</sub> max. 90 mΩ (V<sub>GS</sub> = 10 V, ID = 9 A)
Tensiune prag poarta (V<sub>GS(th)</sub>) 2…4 V
Transconductanta g<sub>fs</sub> ~12 S (la ID = 9 A, V<sub>DS</sub> = 50 V)
Capacitanta de poarta totala Q<sub>g</sub> ~37 nC (ID = 9 A, VDS = 100 V)
Intarziere de comutare (td(on), tr, td(off), tf) 9.2 ns (on), 22 ns (rise), 35 ns (off), 25 ns (fall)
Temperatura de functionare (T<sub>J</sub>) –55 °C … +175 °C
Tensiune de poarta permisa ±20 V
Energie avalansa unica (E<sub>AS</sub>) aproximativ 340 mJ