MOSFET de putere N-canal , 200v 56A 380W , IRFB260NPBF

Descriere:

IRFP260NPBF este un MOSFET de putere N‑canal din generatia a V‑a de tehnologie HEXFET®, oferind o rezistenta de conductie foarte scazuta, comutare rapida si robustete pentru avalanse repetate. In pachet TO‑247AC prin gaurit, faciliteaza disiparea termica eficienta si permisivitate ridicata la paralleling. Este conform RoHS si tip “lead‑free”.

Specificatii:

Tensiune maxima V_DS 200 V 

Tensiune maxima V_GS ±20 V 

Curent continuu I_D @ 25 °C (TC) 50 A 

Curent continuu @ 100 °C 35 A 

Curent pulsatoriu (IDM) pana la 200 A (puls scurt) 

Putere disipata maxima (TC = 25 °C) 300 W 

Energie avalanche (E_AS) ~560 mJ (pulse unice) 

Rata dv/dt diode pana la 10 V/ns 

Temperatura de lucru (T_J) –55 °C … +175 °C