MOSFET de putere P-canal, 55V 31A 110W, IRF5305PBF
(click pentru detalii)
Descriere:
IRF5305PBF este un MOSFET de putere P‑canal, parte a celei de‑a cincea generatii de tranzistoare HEXFET®. Permite comutare rapida si eficienta ridicata, fiind ambalat in pachetul TO‑220AB (prin gaurit), ideal pentru montaj si disipare termica eficienta. Dispozitivul este conform standardului RoHS, fara plumb.
Specificatii:
Polaritare P‑canal
Tensiune Drain–Source (V<sub>DSS</sub>) –55 V
Curent continuu (T<sub>C</sub> = 25 °C) –31 A
Rezistenta R<sub>DS(on)</sub> (max) 0,06 Ω @ V<sub>GS</sub> = –10 V, I<sub>D</sub> = 16 A
V<sub>GS(th)</sub> aproximativ –4 V @ I<sub>D</sub> = 250 µA
Temperatura functionare –55 °C … +175 °C
Disipare maxima (T<sub>C</sub>) 110 W
Incarcare totala a portii Q<sub>g</sub> ~63 nC @ V<sub>GS</sub> = –10 V
Capacitanta de intrare C<sub>iss</sub> ~1200 pF @ V<sub>DS</sub> = –25 V
Timpuri de comutare tipice t<sub>d(on)</sub> ≈ 14 ns, t<sub>rise</sub> ≈ 66 ns, t<sub>d(off)</sub> ≈ 39 ns, t<sub>fall</sub> ≈ 63 ns
V<sub>GS</sub> maxim permis ±20 V
Temperatura maxima T<sub>J</sub> +175 °C
Test avalansa dinamica complet avalansa‑testa