MOSFET de putere N-canal TO263 , 60V 60A 89W , AP9972GS-HF-3
(click pentru detalii)
🛠️ Descriere generala
Tip dispozitiv: N‑channel enhancement‑mode Power MOSFET
Denumire: AP9972GS‑HF‑3 (varianta SMD in pachet TO‑263), exista si AP9972GP‑HF‑3 in TO‑220 prin gaurit
⚡ Parametri electrici principali (@ Tj = 25 °C)
Parametru Valoare
Tensiune V<sub>DSS</sub> 60 V
Curent continuu I<sub>D</sub> 60 A @ T<sub>C</sub> = 25 °C (38 A @ 100 °C)
Rezistenta R<sub>DS(on)</sub> 18 mΩ @ V<sub>GS</sub> = 10 V, ID = 35 A; 22 mΩ @ V<sub>GS</sub> = 4.5 V, ID = 25 A
Curent pulsatoriu I<sub>DM</sub> aprox. 230 A (puls scurt)
Putere disipata max. 89 W @ T<sub>C</sub> = 25 °C
V<sub>GS(max)</sub> permisa ±25 V
V<sub>GS(th)</sub> 1…3 V (ID = 250 µA)
Transconductanta g<sub>fs</sub> ≈ 55 S @ V<sub>DS</sub>=10 V, ID=35 A
Toate specificatiile sunt extrase din fisa tehnica oficiala AP9972GS/P‑HF‑3
⏱️ Performante dinamice
Incarcare totala a portii Q<sub>g</sub>: 32–51 nC (de multe ori ~32 nC @ V<sub>GS</sub> =10 V, ID = 35 A)
Q<sub>gs</sub> / Q<sub>gd</sub>: ~20 nC pentruelementul Miller (@ V<sub>GS</sub> = 4.5 V)
Capacitante interne:
C<sub>iss</sub>: ~3 170–5 070 pF (V<sub>GS</sub>=0 V)
C<sub>oss</sub>: ~280 pF @ V<sub>DS</sub> = 25 V
C<sub>rss</sub>: ~230 pF
Timpuri de comutare:
t<sub>d(on)</sub> ≈ 11 ns
t<sub>rise</sub> ≈ 58 ns
t<sub>d(off)</sub> ≈ 45 ns
t<sub>fall</sub> ≈ 80 ns
Date termice si mediu:
T<sub>J</sub> operare: –55 °C … +150 °C
Rθ<sub>JC</sub> (juntie–carcasa): ~1.4 °C/W
Rθ<sub>JA</sub> (juntie–ambient): ~40 °C/W (montaj PCB) sau pana la 62 °C/W fara disipare adecvata
✅ Aplicatii tipice
DC/DC convertoare cu tensiune scazuta (sub 60 V)
Industria surselor comutate, control PWM, drivere de motor compact
Circuite SMD cu putere moderata (≤ 60 A continuu, ≤ 89 W in montaj corect termic)
Comutare rapida unde conteaza Qg redus si raspuns dinamic bun