Descriere:
IRFP250NPBF este un MOSFET de putere N‑channel din generatia a V‑a HEXFET®, optimizat pentru tensiuni de pana la 200 V. Vine in pachet TO‑247AC tip “flange mount” prin gaurit, robust si potrivit pentru aplicatii industriale de comutare si operare la temperaturi ridicate pana la +175 °C.
Specificatii:
Tensiune V_DSS: 200 V
Curent continuu I_D: 30 A @ 25 °C
Curent puls I_D: 120 A
Rezistenta R_DS(on): 0.075 Ω @ 10 V poarta
Putere disipata maxima: 214 W (derating 1.4 W/°C)
Sarcina totala poarta Q_g: 123 nC
Temperatura maxima jonctiune T_J: +175 °C
Pachet: TO‑247AC, montaj prin gaurit
Energie avalansa unica: 315 mJ
Energie avalansa repetitiva: 21 mJ
IRFP250NPBF