Tranzistor MOSFET N-Channel 250V 46A 330W TO-220 , IRFB4229PBF
(click pentru detalii)
Descriere:
IRFB4229PBF este un MOSFET de putere N-channel in pachet TO‑220AB, fabricat sub marca HEXFET® de catre Infineon (fosta International Rectifier). Creat pentru aplicatii exigente de comutare rapida, reparare energetica si circuite pas-through (ex. display-uri PDP), ofera performanta ridicata si toleranta mare la impulsuri repetate.
Specificatii:
Tensiune drain–source (V<sub>DSS</sub>): 250 V (min) / 300 V avalanche
Tensiune poarta‑sursa (V<sub>GS(max)</sub>): ±30 V
Curent continuu (I<sub>D</sub>): 46 A @ T<sub>C</sub> = 25 °C; 33 A @ T<sub>C</sub> = 100 °C
Curent pulsatoriu (I<sub>DM</sub>): pana la 180 A (puls scurt)
Putere disipata: 330 W @ 25 °C (190 W @ 100 °C)
Temperatura operare (T<sub>J</sub>): –40 °C … +175 °C
Capacitate avalanche repetitiva pentru robusteza la impulsuri puternice
V<sub>DSS</sub> 250 V (tipic 300 V avalanche)
I<sub>D</sub> cont. 46 A (@25 °C) / 33 A (@100 °C)
R<sub>DS(on)</sub> 38 mΩ tipic @ 10 V (max 46 mΩ)
P<sub>D</sub> max 330 W (@ TC 25 °C)
Q<sub>g</sub> total 72–110 nC
Temperatura operare –40 °C … +175 °C
Timpuri comutare td(on): 25 ns, tr: 27 ns, td(off): 44 ns, tf: 19 ns
Pachet TO‑220AB