MOSFET N-Channel 60V 120A 280W TO-247 HEXFET, IRFP3206PBF
(click pentru detalii)
Descriere:
IRFP3206PBF este un MOSFET de putere N-channel Trench HEXFET® fabricat de Infineon, ambalat in pachet TO-247AC pentru montaj prin gaurit. Este optimizat pentru comutare rapida, eficienta ridicata si gestionarea impulsurilor avalanche, potrivit pentru aplicatii SMPS, UPS, convertoare DC/DC si circuite de putere generale.
Specificatii:
Tip MOSFET: N-channel Trench HEXFET®
Tensiune V_DSS: 60 V
Curent continuu I_D: 120 A (practic, limita pachet), pana la 200 A limita silicon
Rezistenta R_DS(on): max 3.0 mΩ (~2.4 mΩ tipic) @ V_GS=10 V, I_D=75 A
Putere disipata maxima P_D: 280 W (T_C=25 °C)
Sarcina poarta Q_g: 120–170 nC
Capacitante: C_iss = 6540 pF, C_oss = 720 pF
Timpuri comutare: aproximativ 19–83 ns
Temperatura jonctiune T_J: –55 °C … +175 °C
Pachet: TO-247AC
Tensiune prag V_GS(th): maxim 4 V @ I_D=150 µA
Tensiune maxima poarta V_GS(max): ±20 V