Descriere:
Modelul IPA80R1K0CEXKSA2, parte din seria CoolMOS™ CE de la Infineon, este un MOSFET N‑Channel de inalta tensiune, optimizat pentru aplicatii de alimentare in electronice de consum, incarcatoare, iluminat cu LED, adaptoare si surse de alimentare cu comutatie eficienta energetic.
Specificatii:
Tip N‑Channel MOSFET (CoolMOS™ CE)
Tensiune max. D–S (Vₑds) 800 V
Curent continuu (Tc) 5,7 A (@ 25 °C la montaj)
Curent pulsat Idm ~18 A
Rezistenta ON‑State (Rₒₙ) ~0,83 Ω @ Vgs = 10 V, 3,6 A
Putere disipare 32 W (la back‑side Tc)
Tensiune prag poarta Vgs(th) max ~3 V @ 250 µA
Capacitate poarta (Qg) ~31 nC @ Vgs = 10 V
Temperatura operare −40 … +150 °C (TJ)
Ambalaj TO‑220FP (FullPAK),