Descriere:
Un transistor NPN de joasa putere, proiectat pentru amplificare si comutare in aplicatii ce necesita tensiuni mari. Se regaseste adesea in circuite de amplificare audio, module de control si ecrane cu descarcare de gaz.
Specificatii:
Tensiune maxima: V<sub>CEO</sub> = 160 V; V<sub>CBO</sub> = 180 V; V<sub>EBO</sub> = 6 V
Curent colector continuu: IC = 600 mA (peak pana la 600 mA)
Putere disipata: P<sub>D</sub> ≈ 625 mW (ambiant 25 °C)
Curent de pulverizare: ≤ 50 nA la 120 V
HFE (castig DC): 80–250 (@ IC=10 mA, VCE=5 V), ~30 la 50 mA
Saturatie: V<sub>CE(sat)</sub> ≈ 0,15 V la IC=10 mA, IB=1 mA; V<sub>CE(sat)</sub> ≤ 0,2 V @ 50 mA
f<sub>T</sub> (bandwidth): ~100–300 MHz (@ 10 mA