Descriere:
MOSFET de putere logic-level, fabricat de International Rectifier (preluat de Infineon), conceput pentru aplicatii de conversie/dimensiuni de comutare DC‑DC, control motoare, alimentare si drivere medii.
Specificatii:
Polaritate N‑Channel MOSFET, TO‑220AB
Vds (max) 100 V
Id continuu (max) 10 A
Rds(on) ~0,18 Ω @ Vgs = 10 V
Vgs(th) ~2 V (logic-level gate drive)
Putere disipata ~48 W (cu disipator)
Capacitate de iesire (Coss) ~97 pF
Tensiuni poarta ±16 V (max)
Temperatura operare –55…+175 °C Tj max
Timp de intarziere / Rise/Fall ~4 ns intarziere, rise ~35 ns
IRL520NPBF