Tranzistor MOSFET N-Channel puternic 250V 8,5A 125W , IRF644PBF

Descriere:

MOSFET N‑Channel de tip DirectFET, conceput pentru aplicatii de comutatie de inalta frecventa, conversie DC‑DC, redresoare sincronizate si alimentari telecom. Ambalat in format SMT subtire cu performante termice excelente si rezistenta minima la conducere.

Specificatii:

Tip: N‑Channel MOSFET in pachet TO‑220AB

Tensiune maxima: V_DS = 250 V

Curent continuu: I_D = 14 A (la 25 °C), industrial pana la 8,5 A la 100 °C

Rezistenta R_DS(on): ≤ 0,28 Ω (V_GS = 10 V)

Consum de intrare (Gate Charge Qg): ≈ 68 nC

Specificatii dinamice: t_on ≈ 11 ns, t_off ≈ 53 ns

Protectii: avalanche repetitiv, dV/dt dinamic

Putere disipata: P_D = 125 W (montat corespunzator)

Temperatura functionare: –55 until +150 °C

Aplicatii: comutare in domeniul auto, industrial, surse de alimentare si invertoare.