Tranzistor MOSFET de putere N-canal 200V 18A 150W , IRF640NPBF

Descriere:

IRF640NPBF este un MOSFET de putere tip N (canal N) din seria HEXFET® de la Infineon (fost International Rectifier), proiectat pentru aplicatii cu tensiuni mari si curenti moderat‑ridicati. Este popular in convertoare, control al motoarelor si surse de alimentare. Pachetul TO‑220AB faciliteaza montarea directa pe radiator.

Specificatii:

Tip tranzistor MOSFET, canal N, HEXFET®

Tensiune maxima Stanga-Dreapta (Vdss) 200 V

Curent nominal continuu (Id) 18 A (punct de referinta la 25 °C, conductor racit)

Rds(on) ≤ 0.15 Ω @ Vgs = 10 V, Id=11 A

Curent prag (Vgs(th)) ≈ 4 V @ 250 µA

Curent sarcina gate (Qg) 67 nC @ Vgs=10 V

Capacitate intrare (Ciss) 1 160 pF @ Vds=25 V

Tensiune gate-source (Vgs Max) ±20 V

Putere disipata (Pd) 150 W (la temperatura carcasa, Tc)

Temperatura operare –55 °C … +175 °C

Tip montaj Through‑Hole, TO‑220‑3 pini

Dimensiuni pachet ~10,7 × 4,4 × 15,7 mm

Rezistenta izolatie & EMC Standard industrial, ROHS complian