Descriere:
WMK26N60C2‑CYG este un MOSFET puternic de tip N‑channel, folosit in aplicatii industriale si de putere ridicata. Parte a familiei WMOS™ C2 de generatie noua, acest tranzistor ofera o combinatie eficienta de tensiune inalta (600 V), curent moderat-superior (20 A) si disipare termica ridicata (pana la 147 W). Carcasa TO‑220-3 face montajul pe radiator usor si eficient.
Specificatii:
Tip dispozitiv N‑MOSFET (enhancement mode)
Tensiune V<sub>DS</sub> max. 600 V @ V<sub>GS</sub>=0 V
Curent continuu I<sub>D</sub> 20 A @ racire activa
Rezistenta R<sub>DS(on)</sub> 0,19 Ω @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=8 A
Putere disipata 147 W (temperatura de referinta 25 °C)
Tensiune porti‑sursa ±30 V
Carcasa TO‑220‑3 (metal‑cap)
Temperatura de operare –55 … +150 °C (junction)
Tensiune test ≈1500 V – test de izolatie intre terminale
Capacitati dinamica C<sub>iss</sub> ≈1570 pF, C<sub>oss</sub> ≈1330 pF
Timpuri switching t<sub>d(on)</sub>≈36 ns, t<sub>f</sub>≈30 ns
Q<sub>g</sub> totala ≈34,5 nC (la V<sub>GS</sub> 10 V, I<sub>D</sub> 10 A)